POS - czy warto?

pierwszym roku, gdzie będziemy mocno do przodu w porównaniu do osób, które nie miały wcześniej styczności z pewnymi tematami. Dodatkowo decydując się na technikum geodezyjne otrzymamy potwierdzenie kwalifikacji zawodowych na p

Dodane: 27-09-2016 09:34
POS - czy warto? biopreparaty

Trudy nauki na geodetę

Edukacje na zawód geodety warto zacząć już na poziomie szkoły średniej i wybrać technikum przygotowujące do studiów w tym kierunku. Ułatwi to wiele rzeczy i pomoże na pierwszym roku, gdzie będziemy mocno do przodu w porównaniu do osób, które nie miały wcześniej styczności z pewnymi tematami.

Dodatkowo decydując się na technikum geodezyjne otrzymamy potwierdzenie kwalifikacji zawodowych na poziomie technika geodety, co otwiera nam możliwość do zatrudnienia się na praktyki w firmach geodezyjnych, co uważam za dobre przygotowanie do zawodu geodety.


Na własną rękę, czy z fachowcem?

Mając remont w perspektywie zadajemy sobie często jedno, ale bardzo ważne pytanie. Powinniśmy się nim zajmować samodzielnie, a może wezwać do niego fachowców? W końcu tynki i farby muszą zostać nałożone odpowiednio dobrze, aby służyły nam przez długie lata. Nikt nie pokryje strat poniesionych przez nasz błąd lub nieprawidłowy wybór. Odpowiedź zależna będzie od potrzeb. Do pomieszczeń czy zewnętrznej części murów lepszym rozwiązaniem raczej okaże się wezwanie ekipy fachowców, którzy żyją z profesjonalnego wykonywania takich zadań. Szybko i dokładnie ? unikając na przykład zacieków ? otynkują i pomalują budynek, a my odetchniemy spokojnie.Z drugiej jednak strony czasem zależy nam na odnowieniu piwnic czy budynku gospodarczego. Wtedy możemy sami podjąć się takiego wyzwania, bo te miejsca nie pełnią funkcji reprezentatywnych, a my w ten sposób zaoszczędzimy. Oczywiście pamiętać musimy o tym, że zajmie nam to wtedy nieco czasu, ale z drugiej strony może dać nam to pewną satysfakcję.


Definicja LED

Wynalezienie diody

Do produkcji weszła w latach sześćdziesiątych w formie opracowanej przez amerykańskiego inżyniera Nicka Holonyaka juniora, który jest uważany za jej wynalazcę.

Możliwe jest, że została wynaleziona już wcześniej, w latach 20. XX wieku. Radziecki technik radiowy Oleg Łosiew zauważył, że diody ostrzowe używane w odbiornikach radiowych emitują światło, w latach 1927-30 opublikował łącznie 16 artykułów opisujących działanie diod elektroluminescencyjnych
Działanie

Działanie diody elektroluminescencyjnej (LED) opiera się na zjawisku rekombinacji nośników ładunku (rekombinacja promienista). Zjawisko to zachodzi w półprzewodnikach wówczas, gdy elektrony przechodząc z wyższego poziomu energetycznego na niższy zachowują swój pseudopęd. Jest to tzw. przejście proste. Podczas tego przejścia energia elektronu zostaje zamieniona na kwant promieniowania elektromagnetycznego. Przejścia tego rodzaju dominują w półprzewodnikach z prostym układem pasmowym, w którym minimum pasma przewodnictwa i wierzchołkowi pasma walencyjnego odpowiada ta sama wartość pędu.

Półprzewodnikiem cechującym się tego rodzaju przejściami jest arsenek galu (GaAs) i między innymi dzięki tej własności głównie on jest wykorzystywany do produkcji źródeł promieniowania (drugim powodem jest bardzo duża sprawność kwantowa ? jest to parametr określający udział przejść rekombinacyjnych, w wyniku których generowane są fotony do ilości nośników ładunku przechodzących przez warstwę zaporową złącza p-n, przejścia rekombinowane zachodzą w obszarze czynnym złącza).


przy czym:

Nfot ? całkowita ilość fotonów generowanych wewnątrz obszaru czynnego;
Nnośo ? całkowita ilość nośników wstrzykiwanych do obszaru czynnego złącza;
Pprom ? moc promieniowania generowanego wewnątrz półprzewodnika;
h ? stała Plancka;
v ? częstotliwość generowanego promieniowania;
I ? prąd elektryczny doprowadzony do diody;
e ? ładunek elektronu.

W krzemie i germanie dominują przejścia skośne.

Luminescencja jest zjawiskiem fizycznym polegającym na emitowaniu przez materię promieniowania elektromagnetycznego pod wpływem czynnika pobudzającego, które dla pewnych długości fali przewyższa emitowane przez tę materię promieniowanie temperaturowe. W diodzie elektroluminescencyjnej (LED) mamy do czynienia z tzw. elektroluminescencją, przy wytworzeniu której źródłem energii pobudzającej jest prąd elektryczny dostarczony z zewnątrz, czasami pole elektryczne. Najefektywniejsza elektroluminescencja w półprzewodniku powstaje w wyniku rekombinacji swobodnych nośników ładunku w złączu p-n, gdy jest ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Intensywność świecenia zależy od wartości doprowadzonego prądu, przy czym zależność ta jest liniowa w dużym zakresie zmian prądu. Zjawiska przeszkadzające elektroluminescencji to pochłanianie wewnętrzne i całkowite odbicie wewnętrzne. Długość fali generowanego promieniowania:



przy czym:

Wg = Wc ? Wv ? szerokość pasma zabronionego lub różnica energii poziomów, między którymi zachodzi rekombinacja,
h ? stała Plancka,
c ? prędkość światła.

Miarą strat na odbicie wewnętrzne i pochłanianie jest stosunek zewnętrznej do wewnętrznej sprawności kwantowej nqz/nnw. O ile wewnętrzna sprawność kwantowa nqw jest zależna od technologii procesu wytwarzania złącza oraz właściwości zastosowanego półprzewodnika, o tyle na zewnętrzną sprawność kwantową ma także wpływ kształt diody.

Na rysunku a) przekrój diody elektroluminescencyjnej płaskiej, a na rysunku b) półsferycznej. Kąt krytyczny, przy którym występuje pełne odbicie wewnętrzne



przy czym n* jest współczynnikiem załamania.

Pochłanianie wewnętrzne może być wyrażane za pomocą funkcji exp, gdzie a(l) jest współczynnikiem absorpcji dla danej długości fali, x zaś określa odległość od miejsca rekombinacji promienistej do powierzchni emitującej promieniowanie diody na zewnątrz.

Całkowitą sprawność zamiany energii elektrycznej na energię promienistą w przypadku omawianej diody płaskiej określa zależność:



przy czym:

P ? moc wejściowa elektryczna;
4n*/(n*+1)? ? współczynnik transmisji (przepuszczalności) promieniowania z wnętrza półprzewodnika do powietrza;
f(l) ? strumień fotonów;
R ? współczynnik odbicia od kontaktu tylnego;
?n, ?p ? współczynnik absorpcji w obszarze n lub p diody;
xn , xp ? grubość obszaru n lub p diody.

Złącza p-n diod elektroluminescencyjnych z GaAs wykonuje się zazwyczaj techniką dyfuzyjną, co zapewnia im wysoką sprawność kwantową.

Promieniowanie diod elektroluminescencyjnych z GaAs można uczynić widzialnym za pomocą przetworników podczerwieni, na przykład przez pokrycie powierzchni diody odpowiednim luminoforem. Promieniowanie widzialne emitują diody elektroluminescencyjne z półprzewodników trójskładnikowych GaAsP, w których tak samo jak w GaAs są spełnione warunki dla prostych przejść rekombinacyjnych. Diody z GaAsP emitują światło czerwone o długości fali l = 650 nm.

Długość fali emitowanego promieniowania zwiększa się ze wzrostem temperatury złącza. Diody emitują promieniowanie w bardzo wąskim przedziale widma: od 490 nm ? kolor niebieski do 950 nm ? bliska podczerwień.

Diody elektroluminescencyjne są wytwarzane z materiałów półprzewodnikowych (pierwiastki z III i V grupy układu okresowego np. arsenek galu GaAs, fosforek galu GaP, arseno-fosforek galu GaAsP o odpowiednim domieszkowaniu). Barwa promieniowania emitowanego przez diody elektroluminescencyjne zależy od materiału półprzewodnikowego; są to barwy: niebieska, żółta, zielona, pomarańczowa, czerwona.

Źródło: http://pl.wikipedia.org/wiki/Dioda_elektroluminescencyjna



© 2019 http://nitus.com.pl/